显露著名的

:半导体刻可作为基础的用基膜的制作办法

技术领地

本发明物关涉半导体W可作为基础的用基膜。,负片是用来搜集2的。,6-萘二甲酸甘醇酯为主要成分的双轴向性运动薄膜。更具体地说,本发明物关涉半导体刻的可作为基础的。、格外地反面优美程序或在绘画加工中作为反面优美胶带基材或雕合胶带基材运用时,良好的量级稳定性、排除性、用于机械紧迫的背衬膜;带或划录音的基膜。。

语境技术

半导体创造中,在刻反面的优美程序(反面优美程序)、该工业技术(讽刺的加工)从制品高球讽刺的到IC高球。,各式各样的上浆剂制成的胶带用于系牢刻。。反磨工业技术,方式刻的方面以方式系牢在TH上的电流刻。,经过紫外线擦皮鞋或使兴奋节食黏合剂的粘聚力紧迫。,以后行动到绘画加工中。在绘画加工中,系牢在胶带上的刻被讽刺的成一体IC高球单元。,与后磨工业技术完全相同的事物,经过紫外线擦皮鞋或使兴奋节食黏合剂的粘聚力紧迫。,以后一体接一体地取出。将移除的IC高球转变到以下焊工业技术中、信用卡密不透气的工业技术。

往昔,划录音的粘聚力膜和发布膜的基膜、外显子及其共多聚体、聚酯、城齿、聚酰胺纤维、聚酰亚胺及等等信用卡薄膜,近的,从机械紧迫、量级稳定性、热强性、价钱及等等思索电阻丝,譬如,日本特殊开平的5-175332公报、日本开平特殊版1-5838公报,开端运用聚酯薄膜。为了阻止鉴于聚酯薄膜和无机硅酮脱模层中所含的杂质落得的硅刻制品率低,某个人睁开了运用锗复合作为聚合催化剂(日本特开平10-214801号公报)的办法。思索完全相同的事物的低被玷污角,日本特开平11-20105号公报睁开了关涉反面优美胶带或雕合胶带管加工切中要害前后一致层备款以支付用离型膜的技术。

已经,晚近半导体的海拔高度一体化,半导体刻的厚度在神速吝惜。,公众开端探测盗用的半导体刻可作为基础的新技术。格外地,刻的厚度例外的薄。,先前的磨削办法可能会落得晶圆的断裂。,磨矿工夫等成绩,作为一种可作为基础的技术,应思索浆蚀刻等办法。。

已经,将新功绩的处置办法与先前的工业技术举行了对照。,工业技术发烧的增多,依据,半导体薄膜的热量级稳定性。、机械紧迫发生成绩。在绘画加工中,通常,黏合剂的粘连经过使兴奋或UV IRR削弱。,一种高球,它能接走和剪下。,或许从磁带的枝节的取下高球。,翻开高球中间的差距,已经鉴于使兴奋,胶带的量级压缩制紧缩了。,切屑不受欢迎的,半导体刻生孩子能力卑微的的成绩。

在另一方面,当聚酰亚胺用作大底膜时,高吸水性,依据,对量级稳定性目前的了高等的的邀请。。

Leave a Comment

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注